半导体探测器电容-电压特性表征
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刊名 《科技研究》
作者 卢景行 (中国人民大学附属中学 北京 100000) 英文名 年,卷(期) 2025年,第6期
主办单位 华文科学出版社 刊号 ISSN:3079-9244(原2717-5480) DOI 10.12421/kjyj3079-9244-202506043

半导体探测器电容-电压特性表征

本文通过 SiC PIN 的 CV 测试可快速无损地获得器件参数并评估器件性能,具有优化指导和缺陷诊断作用。主要 运用了公式推导、实验测试、数据储存及数据导出与拟合等方式,结合分析讨论的方法展开研究。然后,对 SiC PIN 结的 C-V 图像及其特性表征进行了完整分析,并阐述了分析成果的意义。本课题的研究一定程度上有助于产业化实践中对 SiC PIN 的研发、监测及生产。

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