在数字计算快速发展的背景下，传统半导体器件正逼近摩尔定律的物理极限，冯•诺依曼架构[1]“存储与计算分离”的弊端也愈发突出，难以满足人工智能、边缘计算、类脑计算等领域对高算力、低功耗和高集成度的需求。忆阻器作为继电阻、电容、电感之后的第四种基本电路元件，自 2008 年惠普实验室首次成功制备以来，凭借其“存储与计算融合”的独特优势，成为后摩尔时代颇具潜力的新型元器件[2]。本文概述了忆阻器的核心特性和发展前景，介绍了其主要应用方向，分析了它突破冯•诺依曼架构瓶颈的内在机制，并重点讨论了其在类脑计算和神经网络计算中的应用路径，展示了这一新型器件对未来计算范式的潜在影响。